2sc4915-o,lf Биполярные транзисторы - BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357831
Биполярные транзисторы - BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 550 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 1 nA at 6 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 1 mA at 6 V |