2sc5086-y,lf Биполярные транзисторы - BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
Биполярные транзисторы - BJT Radio-Frequency Bipolar Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | SC-75-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 80 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 7 GHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 at 20 mA at 10 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at 20 mA at 10 V |