2SC5658RM3T5G Биполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1357928
Биполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Характеристики
| Упаковка / блок | SOT-723 |
|---|---|
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | 2SC5658RM3 |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Pd - рассеивание мощности | 260 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |