2sc5712(te12l,f) Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Характеристики
Торговая марка | Toshiba |
---|---|
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.14 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 |