2SC6026CT-GR Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 50V
Характеристики
Упаковка / блок | FSM |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Pd - рассеивание мощности | 50 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |