2SCR513RTL Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A
Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A
Характеристики
Упаковка / блок | TSMT3 |
---|---|
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SCR513p |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Pd - рассеивание мощности | 0.5 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 mA |