2SD1047 Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1358036
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Характеристики
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | 500V Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 300 |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 20 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |