2SD1623T-TD-E Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50V
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 50V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PCP-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SD1623 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |