2SD1803S-E Биполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1358102
Биполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DPAK |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | 2SD1803 |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, - 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V, - 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 220 mV, - 280 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A, - 8 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz, 130 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |