2SK3557-6-TB-E РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | 2SK3557 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 mS |
Тип транзистора | JFET |
Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 15 V |
Напряжение отсечки затвор-исток | - 0.7 V |
Максимальное напряжение сток-затвор | - 15 V |