APT10045B2LLG Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS7
Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS7
Характеристики
Диапазон рабочих температур | - 55 C to + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка | Bulk |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Тип | Power Module |
Pd - рассеивание мощности | 565 W |
Vf - прямое напряжение | 1.3 V |
Время спада | 8 ns |
Время нарастания | 5 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |