APT100GF60JU3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Торговая марка | Microsemi |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Коммерческое обозначение | ISOTOP |
Pd - рассеивание мощности | 416 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 150 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |