APT100GN60LDQ4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1358636
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 229 A |
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 625 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 229 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |