APT10M11JVRU2 Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Коммерческое обозначение | POWER MOS V, ISOTOP |
Pd - рассеивание мощности | 450 W |
Время спада | 9 ns |
Время нарастания | 48 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 142 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Типичное время задержки выключения | 51 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns |