Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
APT15GT120BRDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

APT15GT120BRDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi

Производитель
Microsemi

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1358690

APT15GT120BRDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.36 A

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаMicrosemi
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеThunderbolt IGBT
Pd - рассеивание мощности250 W
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C36 A
Ток утечки затвор-эмиттер480 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V