Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
APT30GF60JU3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

APT30GF60JU3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT

Производитель
Microsemi

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1358764

APT30GF60JU3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-227-4
Торговая маркаMicrosemi
Вид монтажаScrew
УпаковкаBulk
Минимальная рабочая температура- 55 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Коммерческое обозначениеISOTOP
Pd - рассеивание мощности192 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C58 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V