APT32F120J Дискретные полупроводниковые модули Power FREDFET - MOS8
Дискретные полупроводниковые модули Power FREDFET - MOS8
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 8, ISOTOP |
Pd - рассеивание мощности | 960 W |
Время спада | 90 ns |
Время нарастания | 60 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Типичное время задержки выключения | 315 ns |
Типичное время задержки при включении | 100 ns |