APT50M75JLLU2 Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
---|---|
Торговая марка | Microsemi |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Коммерческое обозначение | POWER MOS 7, ISOTOP |
Pd - рассеивание мощности | 290 W |
Время спада | 5 ns |
Время нарастания | 20 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 51 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Типичное время задержки выключения | 21 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |