APT66F60B2 МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1358911
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | T-Max-3 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 8 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.135 kW |
| Время спада | 70 ns |
| Время нарастания | 85 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 330 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Типичное время задержки выключения | 225 ns |
| Типичное время задержки при включении | 75 ns |
| Канальный режим | Enhancement |