APTGT50X60T3G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1359072
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SP-3 |
| Торговая марка | Microsemi |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Bulk |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 176 W |
| Конфигурация | Hex |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |