ARF463AG РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Торговая марка | Microsemi |
Усиление | 15 dB |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Тип | RF Power MOSFET |
Pd - рассеивание мощности | 180 W |
Выходная мощность | 100 W |
Рабочая частота | 100 MHz |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 mS |