Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BC-817K-25-E6433 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BC-817K-25-E6433 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1359760

BC-817K-25-E6433 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-23-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияBC 817K
Размер фабричной упаковки10000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №BC817K25E6433HTMA1 BC817K25E6433XT SP000271879
Pd - рассеивание мощности500 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер700 mV
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)170 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160 at 100 mA at 1 V