BC-817K-25-E6433 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BC 817K |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BC817K25E6433HTMA1 BC817K25E6433XT SP000271879 |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 170 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 100 mA at 1 V |