BC-817K-25W-H6327 Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BC 817K |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BC817K25WH6327XT BC817K25WH6327XTSA1 SP000746848 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 170 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 100 mA at 1 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 at 100 mA at 1 V |