BC-857BW-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1359802
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BC857BWE6327XT |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 250 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |