BC-857C-E6433 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BC857 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BC857CE6433HTMA1 BC857CE6433XT SP000010660 |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 250 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA at 5 V |