BC-857S-H6433 Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BC857 |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BC857SH6433XT BC857SH6433XTMA1 SP000747576 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 at 2 mA at 5 V |