Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BC-859C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BC-859C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1359813

BC-859C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin

Биполярные транзисторы - BJT Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-23-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияBC859
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №BC859CE6327HTSA1 BC859CE6327XT SP000010637
Pd - рассеивание мощности330 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер650 mV
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz (Typ)
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)125
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.800