BC-860B-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1359814
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BC860 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BC860BE6327HTSA1 BC860BE6327XT SP000010642 |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 at 2 mA at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 at 2 mA at 5 V |