BC337-16-A1 Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Ammo Pack |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 100 mA at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at 100 mA at 5 V |