bc52-16pa,115 Биполярные транзисторы - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors
Биполярные транзисторы - BJT 60 V, 1 A PNP medium power transistors
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT1061 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |