BC53-10PASX Биполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power Transistors
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1359867
Биполярные транзисторы - BJT 1A PNP Medium Power Transistors
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | DFN2020D-3 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at - 150 mA, - 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at - 150 mA, - 2 V |