Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
bc817-25w,135 Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

bc817-25w,135 Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Производитель
NXP Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1360036

bc817-25w,135 Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-323
Торговая маркаNXP Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки10000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №/T3 BC817-25W
Pd - рассеивание мощности200 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)160 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160 at 100 mA at 1 V