bc846s,125 Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360120
Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
Характеристики
| Упаковка / блок | SOT-363 |
|---|---|
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 |