bc856aw,135 Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-11
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-323 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | /T3 BC856AW |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 65 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 250 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 125 at 2 mA at 5 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 125 at 2 mA at 5 V |