BC856B Биполярные транзисторы - BJT Transistor 200mW
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360332
Биполярные транзисторы - BJT Transistor 200mW
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | RF |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at - 2 mA at - 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 at - 2 mA at - 5 V |