BC857BT Биполярные транзисторы - BJT PNP GEN PURPOSE
Биполярные транзисторы - BJT PNP GEN PURPOSE
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Central Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Серия | BC857 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Другие названия товара № | TR |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |