bcm856ds,115 Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360517
Биполярные транзисторы - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-74-6 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP, PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 65 V, - 65 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 80 V, - 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V, - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 200 mV, - 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 200 mA, - 200 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz, 175 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 2 mA at - 5 V, 200 at - 2 mA at - 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at - 2 mA at - 5 V, 450 at - 2 mA at 5 V |