Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BCP-53-10-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BCP-53-10-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1360528

BCP-53-10-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-223-4
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияBCP53
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №BCP5310E6327HTSA1 SP000010697
Pd - рассеивание мощности2000 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 80 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)- 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 500 mV
Максимальный постоянный ток коллектора- 1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz