BCP5616TA Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCP56 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA at 2 V |