BCP56T1G Биполярные транзисторы - BJT 1A 100V NPN
Биполярные транзисторы - BJT 1A 100V NPN
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCP56 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |