BCV-61C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-143-4 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCV61 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BCV61CE6327HTSA1 BCV61CE6327XT SP000010887 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 at 0.1 mA at 5 V, 420 at 2 mA at 5 V |