BCV-62B-E6433 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Double TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360721
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Double TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BCV62 |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BCV62BE6433HTMA1 BCV62BE6433XT SP000010893 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 at 2 mA at 5 V |