Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BCW-60C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BCW-60C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1360765

BCW-60C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-23-3
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияBCW60
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №BCW60CE6327HTSA1 BCW60CE6327XT SP000010548
Pd - рассеивание мощности330 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.55 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40 at 10 uA at 5 V, 250 at 2 mA at 5 V, 90 at 50 mA at 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.630