BCW-60C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCW60 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BCW60CE6327HTSA1 BCW60CE6327XT SP000010548 |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.55 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 10 uA at 5 V, 250 at 2 mA at 5 V, 90 at 50 mA at 1 V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |