BCW-61C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360770
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BCW61 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BCW61CE6327HTSA1 BCW61CE6327XT SP000010622 |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.55 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 at 10 uA at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 uA at 5 V |