BCW-61D-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCW61 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BCW61DE6327HTSA1 BCW61DE6327XT SP000010627 |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.55 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 460 at 10 uA at 5 V |