BCW-67C-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCW67 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BCW67CE6327HTSA1 BCW67CE6327XT SP000015037 |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 at 100 uA at 10 V, 180 at 10 mA at 1 V, 250 at 100 mA at 1 V, 100 at 500 mA at 2 V |