BCW-68G-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360777
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BCW68 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BCW68GE6327HTSA1 BCW68GE6327XT SP000015039 |
| Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 100 uA at 10 V, 120 at 10 mA at 1 V, 160 at 100 mA at 1 V, 60 at 500 mA at 2 V |