BCX-55-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-89 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCX55 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BCX55E6327HTSA1 SP000010916 |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |