BD13610S Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360967
Биполярные транзисторы - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-126 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Серия | BD136 |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 761 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |