BD139-10 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Trnsistr
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Trnsistr
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-32 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | BD139 |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 1250 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |